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小车断路器无法进入工作位置。（防止带负荷合闸）2，高压关柜内的接地在合位时，小车断路器无法进入工作位置合闸。（防止带接地线合闸）3，高压关柜内的真空断路器在合闸工作时，盘柜前用接地上的机械与柜门闭锁。（防止误入带电间隔）.4，高压关柜内的真空断路器在工作时合闸，接地无法关合投入。（防止带电合接地线）5。高压关柜内的真空断路器小车在试验位置合闸后【高压柜率表五防编辑】1高压关柜内的真空断路器在工作合闸运行时周围空气温度上限40℃ 下限-10℃。
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是现今信息社会的基石。根据半导体设备材料产业协会(SEMI)的报告，全球大直径硅单晶的需求依然旺盛，450mm硅单晶要继续发研究。当前主流集成电路设备用部件急需400mm硅单晶并提出低成本的要求，发400mm硅单晶和研究晶体的工艺过程，无疑具有重要的理论意义和现实需求。同时，发下一代450mm集成电路用硅晶体，研究外加磁场对改善晶体质量的作用。广泛应用于集成电路备件和硅片领域大直径硅单晶的与数值分析\大直径硅单晶是微电子工业的基础材料对于我国未来450mm硅片具有重要的战略意义。本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发采用28inch和32inch热场出400mm和45。电源频率：50HZ3，电源相数：3相3线制4，变压器容量：190KVA5，加热器大加热功率：160KW6，高加热温度：1600℃7。电源电压：380VAC±5%2提拉式单晶炉技术参数1加热器高加热电压：60V8。尤其是坩埚支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出，热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时，充气气压为1.3x103pa。在向单晶炉内不断充入氩气的同时，还必须用真空泵将混合气体排出炉外，在排气时，混合气体流经炉中的加热器，坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。并与炉内生成的一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石墨制成，一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器件上。
