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炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室启时由液压传动装置实现上移。以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池，集成电路所需要的高品质硅单晶。是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中TD-800型软轴提拉型单晶炉单晶炉主机系统包括：底座立柱炉室和副炉室之间，设有浮动式翻板阀室，可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。新型翻板阀结构，拱形封头式炉盖结构，考虑热变形采用浮动提升结构，防止卡死现象。单晶提拉采用可承受150Kg不锈钢丝软轴，电控系统采用微机控制，红外测径技术，进口电动及驱动器。晶升和埚升速度，炉内压力，冷却部位温度等数据都采用数字显示仪表指示，两笔记录仪记录温度和籽晶拉速，能稳定的控制生长直径5～8英寸，直径均匀的无错位单晶。
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坩埚提升机构的垂直方向采用了滚珠直线导轨和高精度丝杆，在高负载甚电机断电的情况下实现自锁。坩埚旋转采用可承受高转矩的多碶带驱动，从而了齿形带传动的震颤。旋转密封采用可承受轴向力磁流体密封，垂直密封采用不锈钢波纹管。 坩埚提升机构中直线导轨座和底板成90°固定，两者间采用筋板支撑，从而提高整体的刚度，避免由侧向力矩引起的直线导轨和丝杆的变形。其包括氩气输入管全文摘要为减少直拉式单晶生长炉的氩气消耗的技术问题。4，地震烈度不超过8度，5，周围空气应不受腐蚀性，可燃气体，水蒸气等明显污染，6，无经常性的剧烈震动。当关柜使用条件超出以上规定，由用户与厂协商确定。周围空气温度上限40℃下限-10℃，2，海拔高度：不超过1000m，3，湿度相对湿度：日平均值不大于95%，月平均不大于90%，饱和蒸气压：日平均值不在于2.2×10Mpa。在发电厂，变电所及工矿企业，高层建筑的变配电中作为接受和分配电能之用，并对电路实行控制，保 的要求，并具备完善的“五防”功能。无法退出小车断路器的工作位置。
